Электронная лаборатория на IBM PC



         

7.4. Выходные каскады - часть 2


На рис. 7.13, а показана наиболее простая двухтактная схема класса В, выполненная на коплементарных транзисторах (транзисторах разной проводимости). Нагрузка Rn включена в эмиттерную цепь транзисторов, работающих в режиме повторителей напряжения. В режиме покоя оба транзистора заперты, поскольку напряжения на эмиттерных переходах равны нулю. Во время положительной полуволны входного сигнала Ui открывается транзистор VT1, а во время отрицательной полуволны — транзистор VT2. Коэффициент усиления мощности близок к отношению эмиттерного и базового токов, т.е. равен В+1.

При очевидной простоте схемы на рис. 7.13, а ей свойственны сравнительно большие нелинейные искажения, что связано с наличием так называемой "пятки" на входной ВАХ биполярных транзисторов. Очевидно, что такие искажения будут особенно существенны при малых входных сигналах с амплитудой, сравнимой с напряжением база—эмиттер в рабочей точке. Для устранения этого недостатка используют раздельные схемы подачи смещения на базы транзисторов (рис. 7.13, б), что обеспечивает режим класса АВ.

При построении выходного каскада на однотипных транзисторах используется схема на рис. 7.13, в. В ней транзистор VT2 открыт в течение обоих полупериодов. В режиме покоя ток транзистора выбирается так, чтобы потенциал коллектора VT2 был равен нулю. При этом диод VD и транзистор VT1 заперты; ток в нагрузке отсутствует. Во время положительной полуволны входного сигнала потенциал коллектора VT2 уменьшается, при этом открывается диод VD и через нагрузку начинает протекать ток. Транзистор VT1 остается закрытым, так как прямое напряжение Е на диоде создает на эмиттерном переходе обратное смещение. Во время отрицательной полуволны потенциал коллектора VT2 повышается, отпирается транзистор VT1 и через нагрузку протекает ток, обусловленный транзистором VT1. При этом диод заперт, так как прямое напряжение Е на эмиттерном переходе создает на диоде обратное смещение.

Для того чтобы открылся диод VD (при положительной полуволне) или транзистор VT1 (при отрицательной полуволне), потенциал коллектора VT2 должен измениться на величину ±Е (напряжение база—эмиттер в статическом режиме) по сравнению с потенциалом покоя. Следовательно, минимальная амплитуда входного сигнала, на которую реагирует рассматриваемый каскад, составляет Е/К, где К — коэффициент усиления каскада на транзисторе VT2. Для исследования каскада на рис. 7.13, в используется схема на рис. 7.14.




Содержание  Назад  Вперед